离子注入SOI薄膜材料的制备及性能

• 作者: Heiner Ryssel Hemment P L F 卢殿通 黄栋
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 SOI材料 电学性能
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 页码范围: 697
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3961字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.10.005

摘要

SOI-CMOS电路具有高速度、低功耗、抗辐照等优点。用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的SIMOX和SIMNI薄膜材料。用扩展电阻、霍耳效应和深能级瞬态谱等多种方法研究了SOI材料表面界面的电 学性能。并对各种方法进行了讨论。结果显示，用分步注入和分步退火制备的SOI材料大大地改善了材料的电学性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢殿通	北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心	7	15	2.0	3.0
2	黄栋	北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心	1	1	1.0	1.0