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摘要:
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气态源分子束外延AlxGa1-xAs(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究
气态源分子束外延
AlGaAs
Si掺杂
电学性质
组分
GaAs/AlxGa1-xAs超晶格在周期性磁场中电子的能带结构
周期性磁场
电子能带结构
超晶格
有效质量理论
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Cδ掺杂AlxGa1-xAs多层外延与超晶格的MOVPE生长及其霍耳评估
来源期刊 浙江大学学报(工学版) 学科
关键词
年,卷(期) 2000,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 503
页数 1页 分类号
字数 2534字 语种 中文
DOI 10.3785/j.issn.1008-973X.2000.05.007
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
浙江大学学报(工学版)
月刊
1008-973X
33-1245/T
大16开
杭州市浙大路38号
32-40
1956
chi
出版文献量(篇)
6865
总下载数(次)
6
总被引数(次)
81907
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