GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器微结构研究

• 作者: 刘卫国 胡小英
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱红外探测器 高分辨透射扫描电镜 金属有机物化学气相沉积 Al组分 峰值响应波长
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1405-1408
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 1906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132506.1405

摘要

采用金属有机物化学气相沉积法生长了两种不同结构参数GaAs/AlxGa1-xAs量子阱材料.利用傅里叶光谱仪分别对势垒中Al组分为0.20,0.30的1#,2#样品进行77 K液氮温度下光谱响应测试.结果显示:1#,2#峰值响应波长为8.38,7.59 μm,而根据薛定谔方程得到峰值波长为9.694,8.134 μm,二者误差分别为13.6％,6.68％.针对误差过大及吸收峰向高能方向发生漂移的现象,利用高分辨透射扫描电镜对样品微观界面结构进行分析,结果显示,样品存在不同程度的位错及不均匀性.结果表明:位错引起AlGaAs 与GaAs晶格不匹配,是造成1#误差较大的主要原因；峰值响应波长随势垒中Al组分的降低而增大,说明Al组分减小致使量子阱子带间距离缩小是导致峰值响应波长红移的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫国	西安电子科技大学微电子学院	112	575	12.0	17.0
5	胡小英	西安电子科技大学微电子学院	20	57	5.0	5.0