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摘要:
室温下在NiCr合金(Hastelloy c-275)基底上应用Ar+离子源辅助,准分子脉冲激光沉积了CeO2薄膜.结果表明:在合适的外部条件控制下,直接在NiCr合金基底上可以制备出c-轴取向的CeO2薄膜,但这时的CeO2薄膜在其a-b平面内没有观察到织构的信息;进一步在相同的条件下,首先在NiCr合金基底上制备一层YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia),再在YSZ/ NiCr上制备CeO2薄膜,这时的CeO2薄膜不但是c-轴取向,同时在其a-b平面内织构.
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文献信息
篇名 NiCr合金基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其结构分析
来源期刊 华中师范大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 脉冲激光 CeO2薄膜 NiCr合金基底 离子源辅助
年,卷(期) 2000,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 157-160
页数 4页 分类号 O484.4
字数 1338字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-1190.2000.02.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄新堂 华中师范大学物理系 38 209 9.0 13.0
3 陈清明 华中理工大学激光技术国家重点实验室 20 56 4.0 6.0
4 王又青 华中理工大学激光技术国家重点实验室 7 25 3.0 5.0
5 郝梅 华中师范大学物理系 2 6 2.0 2.0
8 王秋良 华中理工大学激光技术国家重点实验室 3 12 2.0 3.0
9 徐启阳 华中理工大学激光技术国家重点实验室 4 6 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
脉冲激光
CeO2薄膜
NiCr合金基底
离子源辅助
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
华中师范大学学报(自然科学版)
双月刊
1000-1190
42-1178/N
大16开
武汉市武昌桂子山
38-39
1955
chi
出版文献量(篇)
3391
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5
总被引数(次)
18993
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