高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究

• 作者: 宋安飞 张海鹏
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 高温 绝缘衬底上硅材料 互补金属氧化物半导体 倒相器
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 13-18
• 页数: 6页
• 分类号: TN451|TN386.1
• 字数: 3617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2000.01.003

摘要

在讨论薄膜SOIMOSFET高温性能和高温应用优越性的基础上,以高温应用为目标,对适用于高温SOICMOS倒相器的三种MOSFET组合结构进行了比较分析,最终确定了高温SOICMOS倒相器的MOSFET组合结构的选取原则.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋安飞	南京东南大学微电子中心	1	3	1.0	1.0
2	张海鹏	南京东南大学微电子中心	1	3	1.0	1.0