高温SOI CMOS 倒相器瞬态特性的研究

• 作者: 冯耀兰 宋安飞 张正璠 樊路嘉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 高温 互补金属-氧化物-半导体倒相器 瞬态特性
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 324-326
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.04.003

摘要

本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在(27～300℃)宽温区的瞬态特性.研究结果表明:当采用N+PN++和P+PP++结构薄膜SOI MOSFET组合,并且其结构参数满足高温应用的要求,则SOI CMOS倒相器实验样品在(27～300℃)具有良好的高温瞬态特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋安飞	东南大学微电子中心	9	26	3.0	4.0
2	冯耀兰	东南大学微电子中心	11	26	3.0	4.0
3	樊路嘉	东南大学微电子中心	5	21	3.0	4.0