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摘要:
提出了一个新的小尺寸CMOS倒相器延迟模型,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据,模型计算结果与SPICEBSIM1模型的模拟结果吻合得很好.
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文献信息
篇名 基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 速度饱和 倒相器 延迟
年,卷(期) 2000,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 711-716
页数 6页 分类号 TN432
字数 2861字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 阮刚 复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室 15 116 6.0 10.0
2 宋任儒 复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室 5 25 3.0 5.0
3 梁擎擎 复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室 2 1 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
速度饱和
倒相器
延迟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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35317
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