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基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型
基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型
作者:
Reinhard Streiter
Thomas Gessner
Thomas Otto
宋任儒
梁擎擎
阮刚
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
速度饱和
倒相器
延迟
摘要:
提出了一个新的小尺寸CMOS倒相器延迟模型,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据,模型计算结果与SPICEBSIM1模型的模拟结果吻合得很好.
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文献信息
篇名
基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
速度饱和
倒相器
延迟
年,卷(期)
2000,(7)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
711-716
页数
6页
分类号
TN432
字数
2861字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
阮刚
复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室
15
116
6.0
10.0
2
宋任儒
复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室
5
25
3.0
5.0
3
梁擎擎
复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室
2
1
1.0
1.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献
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(0)
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2000(0)
参考文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
速度饱和
倒相器
延迟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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