用MPCVD法制备氮化碳薄膜

• 作者: 常香荣 张永平 张秀芳 时东霞 田中卓 袁磊 顾有松
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: C3N4薄膜 微波等离子体化学气相沉积 表征 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 234-239
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.03.005

摘要

用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在硅片和铂基片上生长了氮化碳薄膜.扫描电镜(SEM)观察显示,在硅片上形成了多晶的膜;EDX能谱分析表明膜中的碳氮比在1.0～2.0之间;X射线衍射谱表明在硅片和铂片上生长的氮化碳薄膜是由α-C3N4和β-C3N4晶相组成的;XPS峰形分析表明,薄膜中的C、N主要是以共价单键结合的;红外谱中也出现了β-C3N4的特征谱线.因此有足够的证据表明,晶态的氮化碳薄膜已经合成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田中卓	北京科技大学材料物理系	14	75	5.0	8.0
2	顾有松	北京科技大学材料物理系	32	162	7.0	10.0
3	张永平	北京科技大学材料物理系	8	39	4.0	6.0
4	常香荣	北京科技大学材料物理系	14	87	6.0	8.0
5	时东霞	中国科学院物理研究所北京真空物理实验室	23	165	8.0	12.0
6	张秀芳	中国科学院物理研究所北京真空物理实验室	6	52	4.0	6.0
7	袁磊	中国科学院物理研究所北京真空物理实验室	10	57	5.0	7.0