新型双桥结构硅压力传感器

• 作者: 刘理天 岳瑞峰 李志坚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 压力传感器 惠斯登电桥 零点温漂
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 243-247
• 页数: 5页
• 分类号: TP212
• 字数: 1550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2000.04.003

摘要

在利用有限元法分析硅杯结构应力分布的基础上,设计制造了两种新型双惠斯登电桥结构压力传感器.其中力敏电桥位于膜片上的高应力区,补偿电桥位于膜片对角线上或膜片附近逐渐增厚的体硅区,并且组成每个电桥的四个电阻集中设置在同一区域.提出了一种将力敏电桥和补偿电桥的输出信号相减的新方法,可望明显减小压力传感器的温漂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳瑞峰	清华大学微电子学研究所	67	379	11.0	15.0
2	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
3	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0