镶嵌在SiO2薄膜中InAs纳米颗粒的Raman散射

• 作者: 朱开贵 石建中 邵庆益
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiO2薄膜 InAs量子点 Raman散射
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2304-2306
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 2121字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.11.036

摘要

对镶嵌在SiO2薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究.与大块InAs晶体相比,InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征,即由纵光学声子模和横光学声子模组成,但是散射峰宽化并红移.用声子限域效应解释了散射峰的红移现象,并结合InAs纳米颗粒的应力效应解释了红移量与理论值的差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵庆益	北京大学电子学系	5	39	3.0	5.0
2	朱开贵	中国科学技术大学结构分析开放研究实验室	1	3	1.0	1.0