硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响

• 作者: 刘卫丽 多新中 张苗 林成鲁 符晓荣 高剑侠
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: H+注入 X射线多晶衍射 背散射沟道分析
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 145-149
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.03.001

摘要

用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程.并与离子背散射沟道分析进行了比较.结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解,形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错,同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林成鲁	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	44	595	15.0	23.0
2	刘卫丽	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	14	52	4.0	6.0
3	多新中	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	7	20	2.0	4.0
4	张苗	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	20	83	6.0	8.0
5	高剑侠	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	3	17	3.0	3.0
6	符晓荣	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	2	18	2.0	2.0