Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

• 作者: 张发培 张新夷 徐彭寿 梁任又 祝传刚 郭红志 陆尔东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 142-145
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.01.030

摘要

利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH3CSNH2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现其界面反应较弱,Co覆盖层达到0.8 nm时,形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥键的Ga原子与Co发生交换反应并扩散到覆盖层中,形成Co-S键.Co覆盖层表面无偏析As的出现,与Co/GaAs(100)界面不同,这表明GaAs表面的S钝化可有效地阻止As原子向覆盖层的扩散.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	张新夷	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	35	151	8.0	11.0
3	祝传刚	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	3	2	1.0	1.0
4	张发培	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	8	8	1.0	2.0
5	陆尔东	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	5	2	1.0	1.0
6	梁任又	中国科学技术大学结构分析开放实验室	2	0	0.0	0.0
7	郭红志	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	1	0	0.0	0.0