正十八硫醇钝化GaAs(100)表面特性研究

• 作者: 初学峰 周路 杨小天 杨帆 王欢 王超 迟耀丹 郭亮 闫兴振 高晓红
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钝化 砷化镓 正十八硫醇
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 175-179
• 页数: 5页
• 分类号: TN209
• 字数: 2647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183902.0175

摘要

为了有效降低GaAs半导体表面态密度,提出了采用正十八硫醇(ODT,CH3[CH2]17SH)进行GaAs表面钝化的方案.首先,分别对GaAs (100)晶片进行了常规硫代乙酰胺(TAM,CH3CSNH2)钝化和正十八硫醇钝化,通过X射线光电子能谱(XPS)对比分析了钝化前后晶片表面的化学成分,然后利用光致发光光谱(PL)对正十八硫醇处理的GaAs(100)晶片进行了钝化时间的优化,最后通过扫描电子显微镜(SEM)测试了钝化前后的晶片表面形貌.实验结果表明:采用正十八硫醇钝化的GaAs(100)表面,相比常规硫代乙酰胺钝化方案,具有更低的氧化物含量和更厚的硫化层厚度;室温钝化条件下,钝化时间越长,正十八硫醇的钝化效果越好,但PL强度在钝化超过24 h后基本达到稳定,最高PL强度提高了116％;正十八硫醇钝化的GaAs(100)晶片具有良好的表面形貌,表面形成了均匀、平整的硫化物钝化层.数据表明正十八硫醇是钝化GaAs(100)表面一种非常有效的技术手段.