热场分布与CZSi单晶中氧含量关系的研究

• 作者: 任丙彦 刘彩池 张志成 郝秋艳
• 来源期刊: 中国学术期刊文摘
• 关键词: CZSi 热场分布 热对流 氧含量 数值模拟
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 页码范围: 1028-1030
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

氧是CZSi单晶中主要的非故意掺入杂质.晶体生长时氧来源于熔解的坩埚,通过熔体热对流向晶体和熔体自由表面输运.热场分布一方面影响坩埚的溶解度,另一方面通过影响熔体的热对流,来影响熔/埚边界层的厚度,影响氧的含量.为了研究大直径硅单晶生长过程氧的引入,采用不同的热场进行实验,得到了适于大直径(150 mm)晶体生长的不同的热场温度分布及其氧浓度,并对结果进行了理论分析,得出熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,边界层厚度增大,导致硅单晶中氧含量降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任丙彦	河北工业大学半导体材料研究所	31	241	9.0	14.0
2	张志成	河北工业大学半导体材料研究所	4	27	1.0	4.0
3	刘彩池	河北工业大学半导体材料研究所	63	305	11.0	14.0
4	郝秋艳	河北工业大学半导体材料研究所	37	179	9.0	12.0