界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

• 作者: 施毅 朱建民 袁晓利 郑有 顾书林
• 来源期刊: 南京大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅纳米晶粒 界面陷阱 直接隧穿 C-V测量
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 613-618
• 页数: 6页
• 分类号: O472|O474
• 字数: 2325字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0469-5097.2001.05.014

摘要

利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用.长时间存储模式下的电荷存储行为主要由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2/Si衬底界面态决定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
2	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
3	袁晓利	南京大学物理系	5	15	3.0	3.0
4	郑有	南京大学物理系	7	30	3.0	5.0
5	朱建民	南京大学物理系	3	34	2.0	3.0