Ag-In-Te-Sb-O薄膜光学及短波长静态记录特性的研究

• 作者: 侯立松 干福熹 李进延 李青会 谢泉
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: Ag-In-Te-Sb-O薄膜 反应溅射 光学特性 短波长光存储
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 光通信
• 页码范围: 650-654
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4+1|TP333.4
• 字数: 2935字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2001.07.019

摘要

以Ag-In-Te-Sb合金靶采用射频反应溅射在不同氧分压下制备了单层Ag-In-Te-Sb-O薄膜。对薄膜的反射光谱及光学常数(n，k)的研究结果表明：在分压比PO2/PAr=2%～4%时制备的薄膜反射率较高，氩气保护下在300℃退火30 min后，在500～700 nm波长范围薄膜反射率增长可达17%～25%；分压比PO2/PAr=2%时，薄膜在400～650 nm波长范围有较强吸收，光学常数在退火前后也有较大差别。对薄膜静态记录性能的测试结果表明：记录功率为10 mW，脉宽为100 ns时，薄膜在记录前后反射率对比度高达20%,具有良好写入灵敏性。连续多次进行写入/擦除循环，擦除前后反射率对比度稳定，薄膜具有一定的可擦除性能。退火前后薄膜的X射线衍射(XRD)结果说明退火后薄膜中仅有Sb的晶相，与Ag-In-Te-Sb薄膜的结晶特性明显不同。薄膜的成分及各元素的化学状态用光电子能谱(XPS)进行了分析。这类薄膜有望作为短波长高密度光存储材料。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光机所	288	2527	23.0	29.0
2	李青会	中国科学院上海光机所	64	410	12.0	16.0
3	侯立松	中国科学院上海光机所	43	407	13.0	18.0
4	李进延	中国科学院上海光机所	9	39	4.0	5.0
5	谢泉	中国科学院上海光机所	7	32	3.0	5.0