PCVD法沉积a-Si:H薄膜初始阶段的计算机模拟

• 作者: 姚若河 杨坤进 林揆训 林璇英 黄创君
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 生物学
• 关键词: 薄膜成长 计算机模拟 Monte Carlo方法
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 506-507
• 页数: 2页
• 分类号: Q78
• 字数: 2149字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.05.021

摘要

利用Monte Carlo模型研究了用PCVD法沉积a-Si:H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系.该模型考虑了两个成长阶段,即成核阶段和晶核成长阶段;3种动力学过程,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程.模拟结果表明,随着衬底温度的升高,团簇的数目和大小都有所增长,且存在-个最佳温度550K,使团簇的数目达到饱和,晶粒为最大,与实验结果基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璇英	汕头大学物理学系	40	400	10.0	18.0
2	林揆训	汕头大学物理学系	29	339	9.0	18.0
3	黄创君	汕头大学物理学系	5	105	4.0	5.0
4	姚若河	汕头大学物理学系	23	197	6.0	14.0
5	杨坤进	汕头大学物理学系	1	0	0.0	0.0