6″ CZSi热系统的改造对原生缺陷密度的影响

• 作者: 任丙彦 刘彩池 张志成 王猛 郝秋艳
• 来源期刊: 中国科学A辑
• 学科: 物理学
• 关键词: CZSi 原生缺陷 热场 氩气流场 数值模拟
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 639-643
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3355字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.2001.07.007

摘要

在大直径CZSi单晶生长时，热场与氩气流场通过影响晶体与熔体的温度分布来影响硅单晶中缺陷的形成. 通过变单晶炉的普通热系统为以矮加热器为主的复合式热系统，改普通氩气流场为可控氩气流场，得到了原生缺陷密度不同的硅单晶，并通过对氩气流场的模拟分析，较好地解释了实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任丙彦	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	31	241	9.0	14.0
2	张志成	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	4	27	1.0	4.0
3	刘彩池	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
4	郝秋艳	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
5	王猛	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	4	13	1.0	3.0