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应用于超低电压下的 SRA M存储单元设计
随机静态存储器(SRAM )
低电压
低功耗
存储单元
多阈值
一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计
静态随机存储器
双互锁存储单元
单粒子翻转
电路设计
基于大数据的高密度信息安全存储系统设计
高密度信息
信息安全存储
系统设计
数据读写
系统测试
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文献信息
篇名 支持可携式应用市场的需求:茂矽电子的高密度、超低电压/低功率的SRAM存储器
来源期刊 世界电子元器件 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2001,(5) 所属期刊栏目 国际手机元器件专刊
研究方向 页码范围 40-41
页数 2页 分类号 TN92
字数 2369字 语种 中文
DOI
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期刊影响力
世界电子元器件
月刊
1006-7604
11-3540/TN
16开
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
82-796
1995
chi
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