半导体材料特性和参数研究

• 作者: 刘士毅 吴孙桃 吴正云 周海文 张声豪 朱文章 沈华 陈朝 陈议明 颜永美
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 光伏效应 超晶格 半导体材料特性 多孔硅 气体吸附
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学*技术科学
• 页码范围: 251-259
• 页数: 9页
• 分类号: O472|O474|TN304
• 字数: 3647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2001.02.011

摘要

提出超晶格(AlAs/GaAs)和应变超晶格(Ge．Sii-x/Si，In．Ga1-xAs/GaAs)光伏效应的机理，测量了不同温度下的光伏谱，光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰．计算了导带和价带子带的位置和带宽，根据宇称守恒确定光跃迁选择定则，对跃迁峰进行指认．研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化，讨论谱峰展宽机制中的声子关联，混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响．测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱，推导了有关计算公式，计算得出电学参数(L、n0、μ、S、W)、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分；分析了电学参数的温度关系；由双能级复合理论，研究了少子扩散长度与深能级关系，计算了深能级浓度和参数．在不同条件下研制了二氧化锡/多孔硅/硅(SnO2/Ps/Si)和二氧化锡/硅(SnO2/Si)，测量了它们的光伏谱，分析表明它们存在着异质结．当样品吸附还原性气体(H2、CO、液化石油气)时，光电压有明显变化，因此可做为一种新的敏感元件．分析了它们的吸附机理，计算了有关参数．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理学系	63	420	11.0	18.0
2	吴孙桃	厦门大学物理学系	31	484	11.0	21.0
3	吴正云	厦门大学物理学系	33	190	7.0	12.0
4	颜永美	厦门大学物理学系	5	9	2.0	3.0
5	周海文	厦门大学物理学系	5	21	3.0	4.0
6	张声豪	厦门大学物理学系	5	16	3.0	4.0
7	陈议明	厦门大学物理学系	3	9	2.0	3.0
8	沈华	厦门大学物理学系	1	7	1.0	1.0
9	朱文章	厦门大学物理学系	1	7	1.0	1.0
10	刘士毅	厦门大学物理学系	1	7	1.0	1.0