用HREELS和UPS研究多孔硅的电子结构

• 作者: 刘小兵 史向华
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 电子结构 能带排列
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 289-291
• 页数: 3页
• 分类号: O433.1|O471.1
• 字数: 2007字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.04.018

摘要

使用高分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了新腐蚀的多孔硅(PS)样品的电子结构.实验结果表明,从HREELS谱中能量损失阈值测得的PS的能隙移到2.9eV,与文献报道的光激发谱(PLE)结果相近.UPS结果表明PS的费米能级到价带顶的距离不同于单晶Si.结合HREELS和UPS结果可以初步得出PS与Si界面的能带排列.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史向华	长沙电力学院物理与信息工程系	25	84	5.0	8.0
2	刘小兵	长沙电力学院物理与信息工程系	28	102	5.0	8.0