单晶硅化学气相沉积反应器流场初探

• 作者: 刘赵淼 王亲猛 罗木昌
• 来源期刊: 北京工业大学学报
• 学科: 其他
• 关键词: 单晶 化学气相沉积反应器 流场 浮力效应
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 483-485
• 页数: 3页
• 分类号: O 782
• 字数: 1455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0037.2001.04.023

摘要

对单晶硅化学气相沉积(CVD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析. 通过数值求解三维层流Navier-Stokes方程,研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏. 结果表明,由于存在浮力效应,轴对称几何体中也会发生非轴对称流场分布,从而影响单晶硅的均匀生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘赵淼	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	75	414	14.0	17.0
2	罗木昌	中国科学院半导体研究所	9	42	4.0	6.0
3	王亲猛	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	12	56	4.0	7.0