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摘要:
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CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计
互补型金属氧化物集成电路
静电放电
保护电路
电源和地
CMOS集成电路的抗辐射设计
CMOS集成电路
抗辐射加固
总剂量效应
单粒子效应
集成电路版图(layout)设计方法与实例
版图设计
MOS
面积
设计规则
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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(/年)
文献信息
篇名 集成电路布图设计保护条例
来源期刊 山西政报 学科 政治法律
关键词 科技 技术 设计 条例
年,卷(期) 2001,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4-6
页数 3页 分类号 D923.4
字数 语种 中文
DOI
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引文网络
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2001(0)
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研究主题发展历程
节点文献
科技
技术
设计
条例
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
山西政报
半月刊
1008-1992
CN 14-1257/D
山西省太原市府东街101号省政府院内
出版文献量(篇)
5769
总下载数(次)
5
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