硅衬底上CdS纳米晶和纳米碳管极化特性的动态电场力显微术观察

• 作者: 巴龙 廖建辉 舒剑 陆祖宏
• 来源期刊: 电子显微学报
• 学科: 工学
• 关键词: 动态电场力显微术 纳米晶粒 纳米碳管 极化
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 594-598
• 页数: 5页
• 分类号: O471.3|TN16
• 字数: 405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6281.2001.05.011

摘要

在现有的商用原子力显微镜上实现了用动态电场力显微术来研究单个纳米颗粒的极化特性.将AOT(bis(2-ethylhexyl) sulfosuccinate disodium)分子包覆的CdS纳米晶和Au纳米晶共同沉积在n型硅片表面,以分析导电探针对其诱导极化.同时研究了纳米碳管和碳纳米颗粒的不同极化特性.对样品的原位观察表明:其半导体和金属介电特性的差别,CdS, Au粒子呈现较大的极化反差,在同一纳米碳管不同位置也能观察到类似反差.通过比较在半导体和金属粒子上探针对外加交变电场的响应幅度,可以估计纳米半导体纳米粒子的介电常数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆祖宏	东南大学分子与生物分子电子学实验室	166	1602	19.0	33.0
2	廖建辉	东南大学分子与生物分子电子学实验室	9	60	6.0	7.0
3	巴龙	东南大学分子与生物分子电子学实验室	8	30	2.0	5.0
4	舒剑	东南大学分子与生物分子电子学实验室	2	9	1.0	2.0