P型杂质Ga在SiO2/Si中相界面、内界面、近Si表面扩散效应研究

• 作者: 周忠平 张晓华 薛成山 裴素华 赛道建
• 来源期刊: 中国学术期刊文摘
• 学科: 工学
• 关键词: Ga SiO2/Si 浓度分布
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 页码范围: 1310-1313
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.4
• 语种: 中文

摘要

借助二次离子质谱分析方法(SIMS),研究了在恒定表面源扩散条件下,P型杂质Ga在SiO2/Si系统中,其相界面、内界面、近Si表面的扩散效应及其浓度动态分布,对该分布形成的原因与机理进行了分析与讨论,并发现杂质在两相界面上浓度分布的新规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
2	赛道建	山东师范大学半导体研究所	37	252	8.0	14.0
3	周忠平	山东师范大学半导体研究所	14	69	5.0	8.0
4	裴素华	山东师范大学半导体研究所	27	70	6.0	7.0
5	张晓华	山东师范大学半导体研究所	6	3	1.0	1.0