薄棚氧化层的TDDB研究

• 作者: 王晓泉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄栅氧化层 绝缘击穿 可靠性
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 12-15,20
• 页数: 5页
• 分类号: TN407
• 字数: 3735字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.06.003

摘要

随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法.本文重点介绍了TDDB的几种主要击穿模型和机理,比较了软击穿和硬击穿过程的联系与区别,并初步分析了TDDB与测试电场、温度以及氧化层厚度的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓泉	浙江大学材料科学与工程学系	7	165	5.0	7.0