等离子体横向刻蚀硅的特性研究

• 作者: 张文娟 范忠 赖宗声 郭方敏
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: MEMSRF/WM无源器件 SiO2+Al掩模 等离子体横向刻蚀
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 38-40,52
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1906字
• 语种: 中文

摘要

研究了用SiO2+Al作掩模,SF6+O2混合气体等离子体对Si的横向刻蚀,其结果表明,在SF6+O2等离子体气氛中,Al是很好的保护膜,可以在待悬浮器件下形成大的开孔.因此,预计用这种技术,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米,具有优良高频性能的MEMS RF/MW无源器件,如开关、传输线、电感和电容等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖宗声	华东师范大学电子科学技术系	136	779	13.0	18.0
2	郭方敏	华东师范大学电子科学技术系	14	47	4.0	6.0
3	范忠	华东师范大学电子科学技术系	4	10	2.0	3.0
4	张文娟	华东师范大学电子科学技术系	3	40	2.0	3.0