一种改进的CMOS无稳态多谐振荡器

• 作者: 崔嵬 陈禾 韩月秋
• 来源期刊: 北京理工大学学报(英文版)
• 学科: 工学
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 专用集成电路 无稳态多谐振荡器 占空比 闩锁效应 二分频
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 360-363
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1629字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-0579.2002.04.006

摘要

设计了一种新颖的CMOS无稳态多谐振荡器,克服了传统设计中时钟占空比依赖于工艺参数的缺陷.改进的设计不仅能产生占空比为50%的时钟信号,而且能有效地预防电路闩锁.所有的改进几乎不增加电路的动态功耗,因此新设计有广泛的工程应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩月秋	北京理工大学电子工程系	100	1508	19.0	35.0
2	陈禾	北京理工大学电子工程系	62	493	15.0	19.0
3	崔嵬	北京理工大学电子工程系	35	237	10.0	13.0