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摘要:
阐述了可实现0.1 μm线宽器件加工的几种候选光刻技术,对193 nm(ArF)准分子激光光刻技术作了较为详细的论述,指出其在0.1 μm技术段的重要作用,并提出了研制193 nm(ArF)光刻设备的一些设想.
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文献信息
篇名 0.1 μm线宽主流光刻设备——193 nm(ArF)准分子激光光刻
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 光学光刻 光刻设备 193 nm光刻
年,卷(期) 2002,(1) 所属期刊栏目 论文·研制报告
研究方向 页码范围 27-31
页数 5页 分类号 TN305.7
字数 6226字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2002.01.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 胡松 中国科学院光电技术研究所 93 705 12.0 24.0
2 姚汉民 中国科学院光电技术研究所 44 355 9.0 16.0
3 陈兴俊 中国科学院光电技术研究所 6 42 4.0 6.0
4 刘业异 中国科学院光电技术研究所 13 173 7.0 13.0
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研究主题发展历程
节点文献
光学光刻
光刻设备
193 nm光刻
研究起点
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研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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