辐射敏感PMOS管的研制

• 作者: 姜岩峰 张旭 樊路嘉 王成 蔡振波 陈德英
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射敏感 PMOS 阈值电压漂移
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 345-348
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1738字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.04.007

摘要

本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度(L)和宽长比(W/L)的敏感管,并给出样品的直流参数的测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡振波		1	6	1.0	1.0
2	王成		1	6	1.0	1.0