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锗硅BiCMOS工艺赢得RF市场
锗硅BiCMOS工艺赢得RF市场
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摘要：
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基于锗硅BiCMOS工艺的低噪声差分放大器设计
无线局域网
锗硅
BiCMOS
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锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
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期刊影响力
电子与封装
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
开本：
大16开
出版地：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
邮发代号：
创刊时间：
2002
语种：
chi
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
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