新型功率半导体器件IGCT的核心技术

• 作者: 吴春瑜 姚振华 朱长纯 李双美 王颖 白纪彬
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: IGCT 缓冲层 透明阳极 逆导技术 集成门极
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 115-120
• 页数: 6页
• 分类号: TN342.4
• 字数: 3970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2002.02.005

摘要

在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等.这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件-IGCT.它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性、结构紧凑、低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件.本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍,并着重对其四项核心技术:缓冲层,透明阳极,逆导和集成门极技术,以及它们对器件性能的改善进行阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电子信息与工程学院	215	2372	22.0	41.0
2	吴春瑜	辽宁大学物理系	56	150	6.0	9.0
3	姚振华	西安交通大学电子信息与工程学院	17	118	6.0	10.0
4	王颖	辽宁大学物理系	30	104	5.0	9.0
5	李双美	辽宁大学物理系	3	17	2.0	3.0
6	白纪彬		2	18	2.0	2.0