基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关

• 作者: 卓仲畅 宁永强 王立军 苏雪梅
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 耦合量子阱 Fano干涉 光开关
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 光学元件
• 页码范围: 870-873
• 页数: 4页
• 分类号: O431.2
• 字数: 1831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2002.07.023

摘要

提出了一种基于在GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料子带跃迁的量子干涉的半导体弱光开关.分析了弛豫速率γ21对光开关的影响.这种半导体弱光开关是半导体超晶格材料共振隧穿作用导致的子带跃迁的Fano干涉的结果.由于半导体结构与材料可以人为地选择,相干强度可以控制和改变,这种半导体弱光开关比采用原子系统更实用.这也是一种在半导体材料中实现一束光控制另一束光的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立军	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	131	1339	19.0	31.0
2	苏雪梅	吉林大学物理系	6	7	2.0	2.0
4	宁永强	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	49	191	9.0	13.0
5	卓仲畅	吉林大学物理系	12	73	5.0	8.0