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摘要:
通过实验方法确定了高能质子和中子引起的单粒子效应等效关系.实验中采用金箔散射法降低了质子束流强度,并利用热释光剂量计(TLD)进行质子注量的监测,采用新研制的存储器长线实时监测系统,进行了64K位至4M位的SRAM器件单粒子效应实验,确定了两种粒子引起单粒子效应等效关系.
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文献信息
篇名 质子和中子的单粒子效应等效性实验研究
来源期刊 核电子学与探测技术 学科 物理学
关键词 质子 14MeV中子 单粒子效应 等效性
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 158-161,116
页数 5页 分类号 O571.1
字数 2083字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-0934.2002.02.019
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质子
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单粒子效应
等效性
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
核电子学与探测技术
双月刊
0258-0934
11-2016/TL
大16开
北京市经济技术开发区宏达南路3号
1981
chi
出版文献量(篇)
5579
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9
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