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摘要:
依据等离子刻蚀机设备在CCD 研制中所起的关键作用,对提高刻蚀多晶硅电极的质量作了一些探讨,并给出了解决办法和结果.
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内容分析
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文献信息
篇名 CCD多晶硅栅条刻蚀的质量控制
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 CCD 刻蚀比 均匀性
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 210-211,214
页数 3页 分类号 TN405.982
字数 1438字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.03.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李平 6 45 4.0 6.0
2 张坤 12 64 6.0 7.0
3 汪朝敏 9 12 2.0 3.0
传播情况
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引文网络
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参考文献  (0)
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二级引证文献  (0)
2002(0)
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研究主题发展历程
节点文献
CCD
刻蚀比
均匀性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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