真空镀膜中膜厚均匀性的研究

• 作者: 张辉军 温殿忠 穆长生
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 真空镀膜 蒸发源位形 膜厚均匀性
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.8|TN305.96
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2002.05.003

摘要

在半导体器件生产过程中,器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的.蒸镀不仅能制备引线,同时也是传感器件敏感膜制作的主要手段.但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀,影响膜厚的因素很多,实际生产中,陪片由于与其它正片的几何位置不同,因此膜厚不同.其差别可达1%～20%,但在大量的文献分析及应用中被忽略.针对两种常见的蒸发源,通过理论计算与实验给出了陪片、基片与蒸发源的最佳位置,使误差可控制在1%,甚至0.1%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学电子工程学院	51	330	10.0	15.0
2	穆长生	黑龙江大学电子工程学院	7	41	3.0	6.0
3	张辉军	黑龙江大学电子工程学院	10	50	4.0	6.0