MWECR CVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究

• 作者: 冯贞健 宋道颖 宋雪梅 芦奇力 邓金祥 陈光华 陈蔚忠 鲍旭红
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MWECR CVD α-Si:H薄膜 IR分析 高斯函数拟合
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 321-324
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.022

摘要

应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.