反应烧结碳化硅材料的高温氧化

• 作者: 吕振林 李世斌 李贺军 金志浩 高积强
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应烧结碳化硅 高温氧化 掺杂
• 年，卷（期）: 2002,（z1）
• 页码范围: 58-63
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174.5
• 字数: 2643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2002.z1.011

摘要

研究了反应烧结碳化硅材料(RB-SiC)900 ℃的氧化过程以及制备参数和掺杂元素对氧化过程的影响.结果表明:在900 ℃氧化时,除石油焦加入量较高的反应烧结碳化硅材料在氧化初期表现为质量损失外,其余均表现为质量增加,并且质量增加量与氧化时间遵循抛物线规律.掺杂Al和Ni元素可以提高碳化硅材料的高温抗氧化能力.氧化过程对反应烧结碳化硅材料的导电性能影响不大.对碳化硅材料的氧化机制及影响因素进行了分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺军	西北工业大学材料科学与工程学院	351	3778	28.0	39.0
2	高积强	西安交通大学材料科学与工程学院	69	664	17.0	20.0
3	金志浩	西安交通大学材料科学与工程学院	325	5024	34.0	51.0
4	吕振林	西北工业大学材料科学与工程学院	3	39	3.0	3.0
5	李世斌	西安交通大学材料科学与工程学院	12	100	5.0	9.0