等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质

• 作者: 宁兆元 程珊华 黄峰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 透明导电薄膜 氟掺杂 等离子体增强反应蒸发沉积
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 668-673
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.03.040

摘要

采用直流辉光CF4/O2等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜,经过真空退火处理薄膜的电阻率达到1.8×10-3Ω·cm,透光率高于80%.研究了掺氟量和退火温度对薄膜电阻率和透光率的影响,结果表明:氟的掺入增加了载流子浓度,使得薄膜的电阻率明显下降,而薄膜的透光率变差,但是可以通过真空退火处理使其得到显著的改善,掺氟量越大需要的退火温度越高.X射线衍射分析说明,氟的掺入使薄膜的无序度增加;退火处理提高了薄膜的结晶状况,改善了薄膜的透光性能,同时也没有增加薄膜的电阻率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理系	70	528	12.0	18.0
2	程珊华	苏州大学物理系	30	347	11.0	17.0
3	黄峰	苏州大学物理系	5	41	4.0	5.0