一种测量Si/SiO2界面残余应力的微结构应变计

• 作者: 唐祯安 姜勇 王立鼎 申爽
• 来源期刊: 仪器仪表学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 二氧化硅 残余应力 微应变计
• 年，卷（期）: 2002,（z1）
• 所属期刊栏目: 测量装置
• 页码范围: 122-123
• 页数: 2页
• 分类号: TP2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3087.2002.z1.055

摘要

借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅-二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐祯安	大连理工大学微机电系统研究中心	142	1281	17.0	29.0
2	王立鼎	大连理工大学微机电系统研究中心	130	1877	24.0	38.0
3	申爽	大连理工大学微机电系统研究中心	9	41	4.0	5.0
4	姜勇	大连理工大学微机电系统研究中心	20	68	5.0	7.0