分析传导EMI的功率MOSFET建模

• 作者: 袁义生 钱照明
• 来源期刊: 浙江大学学报(工学版)
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 传导EMI 建模技术
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 无线电电子学、电信技术
• 页码范围: 198-201,214
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 2648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2003.02.014

摘要

基于集总电荷原理,分析了功率垂直双扩散MOS(VDMOS)开关过程各阶段极间电容CGS和CGD的变化,建立了连续的CGS和CGD的模型,利用产品数据手册的数据,采用曲线拟合技术可以提取模型方程中所有未知参数.在Saber仿真软件中,利用现有的LDMOS模型为核心,构筑功率VDMOS的子电路模型,作为精确的瞬态和传导电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)仿真使用.最后的开关实验和仿真结果的比较证明了该模型的准确性和有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱照明	浙江大学电气工程学院	265	7170	43.0	75.0
2	袁义生	浙江大学电气工程学院	8	229	7.0	8.0