用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性

• 作者: 刘玉荣 李观启 黄美浅
• 来源期刊: 华南理工大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 光CVD SiO2薄膜 红外光谱 XPS C-V特性
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2845字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-565X.2003.07.014

摘要

在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO2薄膜.用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si-H、Si-OH相应的红外吸收峰,Si-O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1 054～1 069 cm-1之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×1010～3×10 11cm-2范围内;XPS分析表明,SiO2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×1015个原子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉荣	华南理工大学应用物理系	31	82	6.0	6.0
2	李观启	华南理工大学应用物理系	20	44	4.0	5.0
3	黄美浅	华南理工大学应用物理系	22	79	4.0	8.0