SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计

• 作者: Burke F Kim C S Parke S A Rambhatla A Zahurak J 赵阳
• 来源期刊: 南京师范大学学报(工程技术版)
• 学科: 工学
• 关键词: 动态钳制电位DTMOS器件 系统集成芯片 嵌入式DRAM技术
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 891字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-1292.2003.04.016

摘要

描述了n-沟道动态电位DTMOS半导体器件的直流和高频特性,该器件制造采用了低功耗CMOS SOC工艺,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术.在本工作中的DTMOS器件在较早时候就发现性能优于本体接地(GB)和本体浮地(FB)的MOSFET器件.本器件具有无特性曲线缠绕、gm=936μS/μm, gout=36μS/μm,Ion/Ioff=210μA/0.1pA,在Vdd=1V时fmax=32GHz的良好特性,特别适用于低电压嵌入式基频电路并具有对射频RF前端电路的极佳性能,因此可以使嵌入式DRAM、数字电路、模拟电路和RF射频电路混合于一体,用在超低功耗、低成本的SOC(系统集成)芯片系统中.