50nm SOI-DTMOS器件的性能

• 作者: 陈国良 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 50nm SOI-DTMOS器件 模拟
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1072-1077
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.014

摘要

利用二维器件模拟软件ISE对50nm沟道长度下SOI-DTMOS器件性能进行了研究,并与常规结构的SOI器件作了比较.结果表明,在50nm沟长下,SOI-DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件.SOI-DTMOS器件具有更好的亚阈值特性,其亚阈值泄漏电流比常规SOI器件小2～3个数量级,从而使其具有更低的静态功耗.同时,SOI-DTMOS器件较高的驱动电流保证了管子的工作速度,并且较常规SOI器件能更有效地抑制短沟道器件的穿通效应、DIBL及SCE效应,从而保证了在尺寸进一步减小的情况下管子的性能.对SOI-DTMOS器件的物理机制进行了初步分析,揭示了其性能远优于常规结构的物理本质,同时也指出了进一步研究的方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	陈国良	北京大学微电子学研究所	1	3	1.0	1.0