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摘要:
多孔硅具有选择性生长以及可以迅速释放的特性,是MEMS工艺中很好的牺牲层材料.探讨了多孔硅牺牲层工艺的特点,并通过实验证明了其在电容式微传声器制备中的应用可能.提出可以采用氧化多孔硅材料作牺牲层制备微传声器的空气隙的工艺方法,有效地解决其他牺牲层材料与振膜应力不匹配以及释放时间过长的问题,使微传声器的制备成品率得到提高.同时提出运用多孔硅牺牲层工艺制备微传声器的背极板声学孔,可以获得厚度达10μm以上的单晶硅作背极板,背极板刚性好,不会随着外加声压振动,有效地提高了微传声器的性能.
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文献信息
篇名 多孔硅在电容式微传声器制备中的应用研究
来源期刊 微细加工技术 学科 工学
关键词 多孔硅 牺牲层 电容式微传声器
年,卷(期) 2003,(1) 所属期刊栏目 微机械加工技术
研究方向 页码范围 76-80
页数 5页 分类号 TN304.1+2
字数 3142字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘焕章 中国科学院半导体研究所微电子中心传感技术国家重点实验室 71 1282 19.0 34.0
2 刘忠立 中国科学院半导体研究所微电子中心传感技术国家重点实验室 77 412 12.0 14.0
3 宁瑾 中国科学院半导体研究所微电子中心传感技术国家重点实验室 13 44 4.0 6.0
4 葛永才 中国科学院半导体研究所微电子中心传感技术国家重点实验室 5 17 3.0 4.0
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多孔硅
牺牲层
电容式微传声器
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
双月刊
1003-8213
43-1140/TN
大16开
湖南省长沙市
1983
chi
出版文献量(篇)
672
总下载数(次)
2
总被引数(次)
4940
论文1v1指导