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摘要:
提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器.用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙,用约15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板.采用该方法制备的微传声器,在500Hz至11kHz的工作频率下,灵敏度范围为-55dB(1.78mV/Pa)到-45dB(5.6mV/Pa),随着频率的升高,灵敏度呈上升趋势,截止频率超过20kHz.
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文献信息
篇名 用氧化多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 硅基电容式微传声器 氧化多孔硅 牺牲层
年,卷(期) 2003,(5) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 449-453
页数 5页 分类号 TN402
字数 923字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘焕章 中国科学院半导体研究所微电子中心 71 1282 19.0 34.0
2 刘忠立 中国科学院半导体研究所微电子中心 77 412 12.0 14.0
3 宁瑾 中国科学院半导体研究所微电子中心 13 44 4.0 6.0
4 葛永才 中国科学院半导体研究所微电子中心 5 17 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅基电容式微传声器
氧化多孔硅
牺牲层
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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