纳米晶体管研究进展

• 作者: 张邦维
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si纳米晶体管 碳纳米管晶体管 Mott转变纳米晶体管 有机纳米晶体管
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 7-15
• 页数: 9页
• 分类号: TN32
• 字数: 5871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.12.002

摘要

纳米晶体管是尺寸小于100nm的晶体管.纳米晶体管大大提高了晶体管、集成电路、计算机以及其他电子器件的性能.Intel公司正在进行50 nm以下Si晶体管的研制,他们研制的THz CMOS平面晶体管克服了小尺度给纳米晶体管制作所带来的诸如栅极漏电流、关闭状态下的漏电流、电阻增加以及开通电压升高等一系列困难.目前,Si纳米晶体管的小型化并没有停止的趋势,除此以外,碳纳米管晶体管、Mott转变纳米晶体管以及有机纳米晶体管都在受到大力关注和正在研制之中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张邦维	湖南大学应用物理系	40	216	8.0	12.0