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硅微条探测器
硅微条探测器
作者:
孟祥承
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硅微条探测器
p-n结
耗尽层
死层
像素探测器
硅片探测器
电荷耦合探测器
硅漂移室
摘要:
硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的.主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况.
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耦合
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相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
硅微条探测器
来源期刊
核电子学与探测技术
学科
工学
关键词
硅微条探测器
p-n结
耗尽层
死层
像素探测器
硅片探测器
电荷耦合探测器
硅漂移室
年,卷(期)
2003,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
4-18
页数
15页
分类号
TL814
字数
10198字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.0258-0934.2003.01.002
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
孟祥承
中国科学院高能物理研究所
10
195
5.0
10.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
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二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
硅微条探测器
p-n结
耗尽层
死层
像素探测器
硅片探测器
电荷耦合探测器
硅漂移室
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核电子学与探测技术
主办单位:
中核(北京)核仪器厂
出版周期:
双月刊
ISSN:
0258-0934
CN:
11-2016/TL
开本:
大16开
出版地:
北京市经济技术开发区宏达南路3号
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
5579
总下载数(次)
9
总被引数(次)
21728
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