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闪存-Flash Memory
闪存-Flash Memory
作者:
戎霭伦
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
非易失性存储器
存储速度
存储单元
闪速存储器
擦除操作
外部存储
Flash
Memory
存储器容量
半导体存储器
数据保存
摘要:
【正】 (一)闪存概述问存是闪速存储器的简称。计算机的外部存储器件,按记录媒体特性不同可以区分为三类:硬盘和软盘、光盘以及闪存;硬盘和软盘都属于磁存储;光盘属激光存储;闪存属电存储,因存储速度快而命名。闪存实际上是一种体积小、功耗低、速度快的可移动半导体存储器,属于非易失性存储器(Non-Volatile Memory),即在供电电源关断后,仍能保存内部的信息。闪存通过USB接口与计算机连接,即插即用,最大储存容量是2GB,个别厂家现在的工艺可以达到8GB。擦写次数已达100万次以上,数据保存时间至少10年。闪存在容量、寿命、读写
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闪存
组织操作
基于MSP430的扩展Flash Memory系统
便携式仪表
单片机
存储器
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
闪存-Flash Memory
来源期刊
记录媒体技术
学科
工学
关键词
非易失性存储器
存储速度
存储单元
闪速存储器
擦除操作
外部存储
Flash
Memory
存储器容量
半导体存储器
数据保存
年,卷(期)
2003,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
18-23
页数
6页
分类号
TP333
字数
语种
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
戎霭伦
14
40
3.0
6.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(0)
节点文献
引证文献
(0)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
2003(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
非易失性存储器
存储速度
存储单元
闪速存储器
擦除操作
外部存储
Flash
Memory
存储器容量
半导体存储器
数据保存
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
记录媒体技术
主办单位:
清华大学光盘国家工程研究中心
出版周期:
双月刊
ISSN:
1672-1268
CN:
11-4992/TP
开本:
大16开
出版地:
北京清华大学华业大厦1409
邮发代号:
创刊时间:
2003
语种:
chi
出版文献量(篇)
1075
总下载数(次)
3
总被引数(次)
606
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