Flash memory中的叠栅腐蚀工艺

• 作者: 肖军 莫科伟 韩隽
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: Flash Memory 腐蚀工艺 叠栅
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 11-14,31
• 页数: 5页
• 分类号: TP305.2
• 字数: 2375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2002.05.002

摘要

本文主要介绍了Intel式Flash memory单元结构的叠栅自对准腐蚀工艺和有关的叠栅腐蚀原理,分析了Flash叠栅自对准腐蚀对Flash性能的重要性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫科伟	无锡微电子科研中心二室	3	0	0.0	0.0
2	肖军	无锡微电子科研中心二室	1	0	0.0	0.0
3	韩隽	无锡微电子科研中心二室	1	0	0.0	0.0